湖南蓝芯微电子请求提高防电极搬迁才能的芯片制备专利有用提高芯片的防电搬迁和抗腐蚀才能_增强剂

湖南蓝芯微电子请求提高防电极搬迁才能的芯片制备专利有用提高芯片的防电搬迁和抗腐蚀才能

来源：米乐网发布时间：2025-02-20 22:18:22

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金融界2024年12月19日音讯，国家知识产权局信息数据显现，湖南蓝芯微电子科技有限公司请求一项名为“提高防电极搬迁才能的芯片制备办法”的专利，公开号 CN 119133336 A，请求日期为 2024 年 8 月。

专利摘要显现，本发明触及芯片制备技术领域，详细触及提高防电极搬迁才能的芯片制备办法，包含在衬底上顺次制备外延片、N‑GaN 台阶、通明导电层、电极层、电极维护界面层及钝化绝缘层；所述钝化绝缘层选用多层复合材料制备，有用提高了芯片的防电搬迁和抗腐蚀的才能。

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